碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010534386.X

申请日：

2016-04-06

公开(公告)号：

CN111799324A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

和田圭司西口太郎日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2916

IPC分类号：

H01L2102 H01L21306 H01L2904 H01L2934 H01L2940 H01L21336 H01L29739 H01L2978 C23C1632 C23C1656 C30B2502 C30B2520 C30B2936

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;王海川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

日本专利 :CN111799324B ,2024-09-13

[2]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[3]

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

堀勉 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108463581A ,2018-08-28

[4]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

[5]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

田中贵规 ;

山本茂久 ;

中村勇 ;

木村泰广 ;

中田修平 ;

三谷阳一郎 .

中国专利 :CN109155239A ,2019-01-04

[6]

碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

伊东洋典 ;

寺尾岳见 ;

神原健司 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108028185B ,2018-05-11

[7]

碳化硅外延基板及用于制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

西口太郎 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN108138360B ,2018-06-08

[8]

制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备 [P].

和田圭司 ;

土井秀之 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN107924823A ,2018-04-17

[9]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[10]

碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置 [P].

藤林裕明 ;

星真一 ;

上原准市 ;

竹内有一 ;

津野拓海 .

日本专利 :CN120835603A ,2025-10-24

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/16 申请日:20160406
2020-10-20	公开	公开