碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680051471.2

申请日：

2016-11-30

公开(公告)号：

CN108292686B

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

中村勇小西和也

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

C30B2520 C30B2936 H01L2120 H01L21205 H01L21329 H01L21336 H01L2912 H01L2978 H01L29868

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	公开	公开
2018-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20161130
2021-02-12	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

田中贵规 ;

山本茂久 ;

中村勇 ;

木村泰广 ;

中田修平 ;

三谷阳一郎 .

中国专利 :CN109155239A ,2019-01-04

[2]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[3]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN111799324A ,2020-10-20

[4]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

日本专利 :CN111799324B ,2024-09-13

[5]

碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

伊东洋典 ;

寺尾岳见 ;

神原健司 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108028185B ,2018-05-11

[6]

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

堀勉 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108463581A ,2018-08-28

[7]

碳化硅外延基板及用于制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

西口太郎 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN108138360B ,2018-06-08

[8]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[9]

碳化硅基板及使用它的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN118156288A ,2024-06-07

[10]

碳化硅半导体装置 [P].

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN108292676A ,2018-07-17

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