碳化硅基板及使用它的碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311632415.6

申请日：

2023-12-01

公开(公告)号：

CN118156288A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

上东秀幸堀合慧祥

申请人：

株式会社电装丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L29/32

IPC分类号：

H01L29/16 H01L29/167 H01L29/06 H01L29/78

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

吕文卓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/32申请日:20231201
2024-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶片及使用它的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN117917779A ,2024-04-23

[2]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

[3]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

田中贵规 ;

山本茂久 ;

中村勇 ;

木村泰广 ;

中田修平 ;

三谷阳一郎 .

中国专利 :CN109155239A ,2019-01-04

[4]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[5]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[6]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[7]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[8]

碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN121014273A ,2025-11-25

[9]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[10]

碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

伊东洋典 ;

寺尾岳见 ;

神原健司 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108028185B ,2018-05-11

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