碳化硅晶片及使用它的碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311340342.3

申请日：

2023-10-17

公开(公告)号：

CN117917779A

公开(公告)日：

2024-04-23

发明(设计)人：

上东秀幸

申请人：

株式会社电装丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L29/36

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/16 H01L21/336 H01L21/329 H01L29/861

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

吕文卓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/36申请日:20231017
2024-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[2]

碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118263285A ,2024-06-28

[3]

碳化硅基板及使用它的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN118156288A ,2024-06-07

[4]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[5]

碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置 [P].

崔正宇 ;

朴钟辉 ;

金政圭 ;

徐正斗 ;

具甲烈 .

中国专利 :CN115148578A ,2022-10-04

[6]

碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置 [P].

藤林裕明 ;

星真一 ;

上原准市 ;

竹内有一 ;

津野拓海 .

日本专利 :CN120835603A ,2025-10-24

[7]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

[8]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

田中贵规 ;

山本茂久 ;

中村勇 ;

木村泰广 ;

中田修平 ;

三谷阳一郎 .

中国专利 :CN109155239A ,2019-01-04

[9]

碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN121014273A ,2025-11-25

[10]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

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