碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置

被引：0

申请号：

CN202210323093.6

申请日：

2022-03-29

公开(公告)号：

CN115148578A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

崔正宇朴钟辉金政圭徐正斗具甲烈

申请人：

申请人地址：

韩国忠清南道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2166 C30B2300 C30B2936 G01N2195

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;钟海胜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118263285A ,2024-06-28

[2]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[3]

碳化硅晶片及使用它的碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN117917779A ,2024-04-23

[4]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[5]

碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置 [P].

藤林裕明 ;

星真一 ;

上原准市 ;

竹内有一 ;

津野拓海 .

日本专利 :CN120835603A ,2025-10-24

[6]

碳化硅单晶、碳化硅晶片和半导体器件 [P].

郡司岛造 ;

浦上泰 ;

安达步 .

中国专利 :CN103635615B ,2014-03-12

[7]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[8]

碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件 [P].

崔正宇 ;

甄明玉 ;

朴钟辉 ;

徐正斗 ;

金政圭 ;

具甲烈 .

中国专利 :CN115497815A ,2022-12-20

[9]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[10]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

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