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一种高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811539919.2
申请日：
2018-12-17
公开(公告)号：
CN109659365A
公开(公告)日：
2019-04-19
发明(设计)人：
葛永晖 郭炳磊 王群 吕蒙普 李鹏
申请人：
申请人地址：
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L21335
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
徐立
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-05-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20181217
2021-07-30 发明专利申请公布后的撤回 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190419
2019-04-19 公开 公开
共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
郭炳磊 ;
葛永晖 ;
王群 ;
吕蒙普 ;
胡加辉 ;
李鹏 .
中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16
[2]
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
葛永晖 ;
郭炳磊 ;
王群 ;
吕蒙普 ;
李鹏 .
中国专利 :CN109786438A ,2019-05-21
[3]
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
郭炳磊 ;
王群 ;
葛永晖 ;
吕蒙普 ;
李鹏 .
中国专利 :CN109659352A ,2019-04-19
[4]
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
郭炳磊 ;
葛永晖 ;
王群 ;
吕蒙普 ;
李鹏 .
中国专利 :CN109659364A ,2019-04-19
[5]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22
[6]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119008689B ,2025-03-14
[7]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
洪威威 ;
王倩 ;
周飚 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN110444598A ,2019-11-12
[8]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28
[9]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
刘浪 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16
[10]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
刘浪 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13
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