掩膜版、半导体结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211545761.6

申请日：

2022-12-05

公开(公告)号：

CN115616850A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

郑启涛郭哲劭阳清张立涛

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

G03F154 H01L21027

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

唐敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/00 申请日:20221205

共 50 条

[1]

掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构 [P].

王超星 ;

杨鹏远 ;

王建冲 ;

吕天龙 .

中国专利 :CN115692168A ,2023-02-03

[2]

半导体结构及其制备方法、光刻掩膜版 [P].

刘高山 ;

黄海辉 ;

张福涛 ;

张天翼 ;

陈晋 ;

刘隆冬 ;

张文杰 .

中国专利 :CN111554686A ,2020-08-18

[3]

半导体结构及其制备方法以及组合掩膜版 [P].

陆聪 .

中国专利 :CN115360198A ,2022-11-18

[4]

半导体掩膜版 [P].

豆海清 ;

陈韦斌 ;

刘立芃 .

中国专利 :CN214542131U ,2021-10-29

[5]

掩膜版及半导体结构 [P].

金普楠 .

中国专利 :CN119247687A ,2025-01-03

[6]

掩膜版、半导体结构及其形成方法 [P].

范志远 .

中国专利 :CN115685666A ,2023-02-03

[7]

掩膜版、半导体结构及其形成方法 [P].

呼翔 .

中国专利 :CN114078751A ,2022-02-22

[8]

掩膜版、半导体结构及其形成方法 [P].

呼翔 .

中国专利 :CN114078751B ,2025-12-05

[9]

半导体结构及其形成方法、掩膜版 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113823600A ,2021-12-21

[10]

掩膜版及其设计方法、半导体结构及其制造方法 [P].

王选雯 ;

邱瑾玉 ;

刘立娟 .

中国专利 :CN120406042A ,2025-08-01

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