一种GaN异质结纵向功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810455931.9

申请日：

2018-05-14

公开(公告)号：

CN108598163A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

周琦魏东邓操董长旭黄芃陈万军张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180514
2018-09-28	公开	公开
2021-01-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20180928

共 50 条

[1]

一种纵向GaN HEMT功率器件 [P].

李泽宏 ;

叶钰麒 ;

赵一尚 ;

任敏 .

中国专利 :CN115332335A ,2022-11-11

[2]

一种GaN异质结纵向场效应管 [P].

周琦 ;

朱若璞 ;

陈万军 ;

张波 .

中国专利 :CN107393954A ,2017-11-24

[3]

一种GaN异质结功率二极管 [P].

周琦 ;

汪玲 ;

鲍旭 ;

牟靖宇 ;

施媛媛 ;

尉中杰 ;

张波 .

中国专利 :CN103872145A ,2014-06-18

[4]

一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

郗路凡 ;

魏杰 ;

孙涛 ;

邓思雨 ;

贾艳江 ;

廖德尊 ;

张成 .

中国专利 :CN112909077A ,2021-06-04

[5]

一种GaN异质结纵向逆导场效应管 [P].

周琦 ;

朱若璞 ;

陈万军 ;

张波 .

中国专利 :CN107482059B ,2017-12-15

[6]

一种GaN异质结二极管器件及其制备方法 [P].

裴轶 ;

陈洪维 .

中国专利 :CN104362181A ,2015-02-18

[7]

一种双异质结GaN RC-HEMT器件 [P].

魏杰 ;

贾艳江 ;

孙涛 ;

郗路凡 ;

邓思宇 ;

赵智家 ;

张成 ;

廖德尊 ;

罗小蓉 .

中国专利 :CN114613856A ,2022-06-10

[8]

异质结功率器件 [P].

A·F·M·皮扎迪 ;

S·A·斯默兹 ;

F·尤克拉诺 .

:CN222638981U ,2025-03-18

[9]

一种GaN异质结HEMT器件 [P].

周琦 ;

陈万军 ;

尉中杰 ;

张波 .

中国专利 :CN102945859A ,2013-02-27

[10]

一种GaN基双异质结HEMT器件 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN205376535U ,2016-07-06

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