一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110169319.7

申请日：

2021-02-07

公开(公告)号：

CN112909077A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

罗小蓉郗路凡魏杰孙涛邓思雨贾艳江廖德尊张成

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210207
2022-03-29	授权	授权
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双异质结GaN RC-HEMT器件 [P].

魏杰 ;

贾艳江 ;

孙涛 ;

郗路凡 ;

邓思宇 ;

赵智家 ;

张成 ;

廖德尊 ;

罗小蓉 .

中国专利 :CN114613856A ,2022-06-10

[2]

一种GaN基双异质结HEMT器件 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN205376535U ,2016-07-06

[3]

一种GaN异质结纵向功率器件 [P].

周琦 ;

魏东 ;

邓操 ;

董长旭 ;

黄芃 ;

陈万军 ;

张波 .

中国专利 :CN108598163A ,2018-09-28

[4]

一种GaN异质结HEMT器件 [P].

周琦 ;

陈万军 ;

尉中杰 ;

张波 .

中国专利 :CN102945859A ,2013-02-27

[5]

一种增强型HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

熊佳云 ;

杨超 ;

魏杰 ;

吴俊峰 ;

彭富 ;

张波 .

中国专利 :CN105140270A ,2015-12-09

[6]

一种纵向GaN HEMT功率器件 [P].

李泽宏 ;

叶钰麒 ;

赵一尚 ;

任敏 .

中国专利 :CN115332335A ,2022-11-11

[7]

一种异质结栅极的增强型GaN HEMT器件制备方法 [P].

袁旭 ;

张彦昌 .

中国专利 :CN119767720A ,2025-04-04

[8]

一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN105514157A ,2016-04-20

[9]

一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

贾艳江 ;

孙涛 ;

张成 ;

邓思宇 ;

魏杰 ;

廖德尊 ;

郗路凡 ;

赵智家 .

中国专利 :CN113594248A ,2021-11-02

[10]

一种纵向超结增强型MIS HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

彭富 ;

杨超 ;

吴俊峰 ;

魏杰 ;

邓思宇 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN106057868A ,2016-10-26

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