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具有选择性基于页面刷新的存储器装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880044604.2
申请日
:
2018-07-17
公开(公告)号
:
CN110832468A
公开(公告)日
:
2020-02-21
发明(设计)人
:
A·D·阿克勒
申请人
:
申请人地址
:
美国爱达荷州
IPC主分类号
:
G06F1316
IPC分类号
:
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
王龙
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-03-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 13/16 申请日:20180717
2020-02-21
公开
公开
共 50 条
[1]
存储器设备的选择性刷新
[P].
E·伊派克
论文数:
0
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
E·伊派克
;
H·奥马尔
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
H·奥马尔
;
B·雷赫利克
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
B·雷赫利克
;
S·R·库安尔
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
S·R·库安尔
;
B·达什蒂波尔
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
B·达什蒂波尔
;
M·H·罗
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·H·罗
;
J·格玛
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
J·格玛
;
M·西弗森
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·西弗森
;
G·帕特西拉拉斯
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
G·帕特西拉拉斯
;
A·E·特纳
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
A·E·特纳
.
美国专利
:CN119032349A
,2024-11-26
[2]
选择性存储器刷新电路与刷新方法
[P].
陈瑞隆
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陈瑞隆
;
黄世煌
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黄世煌
.
中国专利
:CN1303612C
,2003-03-19
[3]
包括选择性刷新操作的电阻式存储器
[P].
托马斯·哈普
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托马斯·哈普
;
扬·鲍里斯·菲利普
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扬·鲍里斯·菲利普
.
中国专利
:CN101188139A
,2008-05-28
[4]
故障敏感存储器页面的选择性加速取样
[P].
K·K·姆奇尔拉
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0
K·K·姆奇尔拉
;
G·F·贝桑格
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0
G·F·贝桑格
;
C·M·斯坦梅茨
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0
C·M·斯坦梅茨
;
P·西塔姆拉尤
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P·西塔姆拉尤
;
吴建刚
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吴建刚
;
S·K·瑞特南
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0
S·K·瑞特南
;
P·费利
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0
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0
P·费利
.
中国专利
:CN112053733A
,2020-12-08
[5]
故障敏感存储器页面的选择性加速取样
[P].
K·K·姆奇尔拉
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
K·K·姆奇尔拉
;
G·F·贝桑格
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
G·F·贝桑格
;
C·M·斯坦梅茨
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
C·M·斯坦梅茨
;
P·西塔姆拉尤
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
P·西塔姆拉尤
;
吴建刚
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
吴建刚
;
S·K·瑞特南
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
S·K·瑞特南
;
P·费利
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
P·费利
.
美国专利
:CN112053733B
,2024-06-04
[6]
存储器的选择性抑制
[P].
王虹美
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王虹美
;
N·N·加杰拉
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N·N·加杰拉
;
崔铭栋
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崔铭栋
;
F·佩里兹
论文数:
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0
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0
F·佩里兹
.
中国专利
:CN114141297A
,2022-03-04
[7]
存储器的选择性抑制
[P].
王虹美
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
王虹美
;
N·N·加杰拉
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
N·N·加杰拉
;
崔铭栋
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
崔铭栋
;
F·佩里兹
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
F·佩里兹
.
美国专利
:CN114141297B
,2025-08-15
[8]
利用页面打开的存储器刷新操作
[P].
B.夸尔巴克
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0
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0
B.夸尔巴克
;
K.S.拜因斯
论文数:
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K.S.拜因斯
;
J.B.哈尔伯特
论文数:
0
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0
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0
J.B.哈尔伯特
.
中国专利
:CN108352177A
,2018-07-31
[9]
分组存储器裸片的选择性存取
[P].
陆洋
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
陆洋
;
K-Y·金
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
K-Y·金
.
美国专利
:CN117716332A
,2024-03-15
[10]
存储器设备中的基于散列过滤器的选择性行刷新
[P].
S·潘达
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
S·潘达
;
M·穆罕默德
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·穆罕默德
;
S·A·S·詹娜巴特拉
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
S·A·S·詹娜巴特拉
;
V·佩特尼科塔
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
V·佩特尼科塔
;
J·拉米迪
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
J·拉米迪
.
美国专利
:CN121127918A
,2025-12-12
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