倒装发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910357270.0

申请日：

2019-04-29

公开(公告)号：

CN110265521B

公开(公告)日：

2019-09-20

发明(设计)人：

兰叶陶羽宇常远吴志浩

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20190429
2019-09-20	公开	公开
2020-10-27	授权	授权

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112289915A ,2021-01-29

[2]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

陶羽宇 ;

常远 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN110350060B ,2019-10-18

[3]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111540818A ,2020-08-14

[4]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111446341B ,2020-07-24

[5]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111769190B ,2020-10-13

[6]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

吴志浩 ;

李鹏 ;

陶羽宇 .

中国专利 :CN113130718A ,2021-07-16

[7]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085732A ,2019-08-02

[8]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[9]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

陈沛然 ;

江平 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117497659A ,2024-02-02

[10]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄庆 ;

张美 ;

杭伟 ;

王洪占 .

中国专利 :CN117810326A ,2024-04-02

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