采用二氧化硅隔离结构的压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN89214652.4

申请日：

1989-07-25

公开(公告)号：

CN2069171U

公开(公告)日：

1991-01-09

发明(设计)人：

赵甘鸣黄宜平鲍敏杭

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L4900

IPC分类号：

G01L118 G01L906

代理机构：

复旦大学专利事务所

代理人：

陆飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1991-09-03	授权	授权
1991-01-09	公开	公开
1992-11-18	专利权的终止未缴纳年费专利权终止	专利权的终止未缴纳年费专利权终止

共 50 条

[1]

具有埋层二氧化硅的压力传感器结构 [P].

孙海鑫 ;

韩民俊 ;

乔康 ;

顾天刚 ;

陈艳 .

中国专利 :CN202216793U ,2012-05-09

[2]

具有埋层二氧化硅的压力传感器生产工艺 [P].

孙海鑫 ;

戴兆喜 ;

韩民俊 ;

乔康 ;

程绍龙 ;

范传东 .

中国专利 :CN102431953A ,2012-05-02

[3]

一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器 [P].

张覃轶 ;

姚志伟 .

中国专利 :CN110161085A ,2019-08-23

[4]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN100445336C ,2005-10-05

[5]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 ;

P·布克尔 ;

A·希勒 .

中国专利 :CN103435056A ,2013-12-11

[6]

二氧化硅 [P].

J·迈尔 ;

M·肖尔茨 .

中国专利 :CN101679771B ,2010-03-24

[7]

二氧化硅 [P].

P·W·斯坦尼尔 .

中国专利 :CN101330897B ,2008-12-24

[8]

二氧化硅 [P].

A·阿尔克罗夫特 ;

P·W·施坦尼埃 .

中国专利 :CN1088546A ,1994-06-29

[9]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN1678696A ,2005-10-05

[10]

二氧化硅 [P].

于尔根·迈尔 ;

斯特凡妮·弗拉恩 ;

曼弗雷德·埃特林格 .

中国专利 :CN102002274A ,2011-04-06

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