功率绝缘栅型场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110303682.X
申请日
2011-09-22
公开(公告)号
CN102412305B
公开(公告)日
2012-04-11
发明(设计)人
竹村保彦
申请人
申请人地址
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
H01L29786
IPC分类号
H01L2906 H01L29423
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
何欣亭;朱海煜
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
绝缘栅场效应晶体管 [P]. 
原田真 ;
和田圭司 ;
日吉透 .
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绝缘栅场效应晶体管 [P]. 
曼弗雷德·豪夫 ;
马克思·G·莱维 ;
维克托·R·纳斯塔西 .
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场效应晶体管 [P]. 
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场效应晶体管 [P]. 
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薄膜型绝缘栅场效应晶体管 [P]. 
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场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
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