学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
功率绝缘栅型场效应晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110303682.X
申请日
:
2011-09-22
公开(公告)号
:
CN102412305B
公开(公告)日
:
2012-04-11
发明(设计)人
:
竹村保彦
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
:
H01L29786
IPC分类号
:
H01L2906
H01L29423
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
何欣亭;朱海煜
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-03-22
授权
授权
2013-09-18
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101519323663 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201110303682X 申请日:20110922
2012-04-11
公开
公开
共 50 条
[1]
绝缘栅场效应晶体管
[P].
原田真
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
原田真
;
和田圭司
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
和田圭司
;
日吉透
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
日吉透
.
中国专利
:CN102171832A
,2011-08-31
[2]
绝缘栅场效应晶体管
[P].
曼弗雷德·豪夫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曼弗雷德·豪夫
;
马克思·G·莱维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马克思·G·莱维
;
维克托·R·纳斯塔西
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
维克托·R·纳斯塔西
.
中国专利
:CN1090821C
,1998-03-04
[3]
场效应晶体管
[P].
竹村保彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
竹村保彦
.
中国专利
:CN105810742A
,2016-07-27
[4]
场效应晶体管
[P].
竹村保彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
竹村保彦
.
中国专利
:CN102934232B
,2013-02-13
[5]
沟槽绝缘栅场效应晶体管
[P].
R·J·E·许廷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R·J·E·许廷
.
中国专利
:CN100459158C
,2006-12-27
[6]
沟槽绝缘栅场效应晶体管
[P].
R·J·E·许廷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R·J·E·许廷
;
E·A·海曾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
E·A·海曾
.
中国专利
:CN100546045C
,2006-12-27
[7]
绝缘栅型场效应晶体管的制造方法
[P].
高见秀诚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高见秀诚
.
中国专利
:CN101047131A
,2007-10-03
[8]
薄膜型绝缘栅场效应晶体管
[P].
蒋发坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
先之科半导体科技(东莞)有限公司
先之科半导体科技(东莞)有限公司
蒋发坤
.
中国专利
:CN117012735B
,2024-05-31
[9]
功率场效应晶体管
[P].
S·沃思
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
S·沃思
;
L·克诺尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
L·克诺尔
;
L·克兰兹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
L·克兰兹
.
:CN221466582U
,2024-08-02
[10]
场效应晶体管
[P].
天清宗山
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
天清宗山
;
户塚正裕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
户塚正裕
.
中国专利
:CN101853879B
,2010-10-06
←
1
2
3
4
5
→