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铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构及光器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020422347.6
申请日
:
2020-03-29
公开(公告)号
:
CN211478703U
公开(公告)日
:
2020-09-11
发明(设计)人
:
李萍
申请人
:
申请人地址
:
300400 天津市北辰区双街镇双街可信产业园B10-5-101
IPC主分类号
:
G02B626
IPC分类号
:
G02B610
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-11
授权
授权
共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构
[P].
孙立
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孙立
;
胡金鑫
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胡金鑫
;
刘晖
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0
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刘晖
.
中国专利
:CN215264117U
,2021-12-21
[2]
铌酸锂光波导芯片
[P].
陈亦凡
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陈亦凡
;
黄萌
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黄萌
.
中国专利
:CN211180281U
,2020-08-04
[3]
一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片
[P].
李萍
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0
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0
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0
李萍
.
中国专利
:CN211786214U
,2020-10-27
[4]
铌酸锂光波导芯片
[P].
陈亦凡
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陈亦凡
;
黄萌
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黄萌
.
中国专利
:CN110568551A
,2019-12-13
[5]
一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导
[P].
孙兵兵
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机构:
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
孙兵兵
;
陈娟
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机构:
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
陈娟
;
杨晓丹
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机构:
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
杨晓丹
.
中国专利
:CN121232364A
,2025-12-30
[6]
一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法
[P].
李萍
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李萍
.
中国专利
:CN113655564A
,2021-11-16
[7]
耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置
[P].
李俊慧
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李俊慧
;
王旭阳
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王旭阳
;
冯亚丽
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冯亚丽
;
郝琰
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郝琰
.
中国专利
:CN212410901U
,2021-01-26
[8]
耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置
[P].
李俊慧
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李俊慧
;
王旭阳
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王旭阳
;
冯亚丽
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冯亚丽
;
郝琰
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郝琰
.
中国专利
:CN111239905A
,2020-06-05
[9]
一种基于铌酸锂薄膜的光器件
[P].
张洪涛
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张洪涛
;
刘磊
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刘磊
;
李鑫
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李鑫
;
郑名扬
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郑名扬
;
谢秀平
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谢秀平
.
中国专利
:CN216956567U
,2022-07-12
[10]
一种铌酸锂薄膜光器件
[P].
张洪涛
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张洪涛
;
刘磊
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刘磊
;
李鑫
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李鑫
;
逄博
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逄博
;
贺培鑫
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贺培鑫
;
郑名扬
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郑名扬
;
谢秀平
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0
谢秀平
.
中国专利
:CN218213679U
,2023-01-03
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