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半导体结构的制备方法和半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110476539.4
申请日：
2021-04-29
公开(公告)号：
CN113192828A
公开(公告)日：
2021-07-30
发明(设计)人：
宛强 占康澍 夏军 李森 徐朋辉 刘涛
申请人：
申请人地址：
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21768 H01L27108 H01L21336 H01L2978
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
王欢;黄健
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-08-17 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210429
2021-07-30 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法、半导体结构 [P]. 
吴润平 ;
朱磊 .
中国专利 :CN118400991A ,2024-07-26
[2]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
彭志高 ;
陶永洪 .
中国专利 :CN115663022A ,2023-01-31
[3]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
张俊逸 ;
李新 ;
应战 .
中国专利 :CN115568207A ,2023-01-03
[4]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
卢经文 .
中国专利 :CN115116962A ,2022-09-27
[5]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
李军辉 ;
穆克军 .
中国专利 :CN114649285A ,2022-06-21
[6]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
徐康元 .
中国专利 :CN117855138A ,2024-04-09
[7]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
卢经文 .
中国专利 :CN115116962B ,2024-06-07
[8]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
王婷 .
中国专利 :CN118039560A ,2024-05-14
[9]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120018603A ,2025-05-16
[10]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
裴俊植 .
中国专利 :CN117355136A ,2024-01-05
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