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半导体结构的制备方法和半导体结构
被引:0
申请号
:
CN202110302133.4
申请日
:
2021-03-22
公开(公告)号
:
CN115116962A
公开(公告)日
:
2022-09-27
发明(设计)人
:
卢经文
申请人
:
申请人地址
:
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
H01L218242
IPC分类号
:
H01L27108
代理机构
:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
:
王欢;黄健
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-27
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法和半导体结构
[P].
卢经文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
卢经文
.
中国专利
:CN115116962B
,2024-06-07
[2]
半导体结构和半导体结构的制备方法
[P].
彭志高
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
彭志高
;
陶永洪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陶永洪
.
中国专利
:CN115663022A
,2023-01-31
[3]
半导体结构和半导体结构的制备方法
[P].
李军辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
李军辉
;
穆克军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
穆克军
.
中国专利
:CN114649285A
,2022-06-21
[4]
半导体结构的制备方法和半导体结构
[P].
徐康元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都高真科技有限公司
成都高真科技有限公司
徐康元
.
中国专利
:CN117855138A
,2024-04-09
[5]
半导体结构和半导体结构的制备方法
[P].
王婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
王婷
.
中国专利
:CN118039560A
,2024-05-14
[6]
半导体结构的制备方法和半导体结构
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智创芯源科技有限公司
北京智创芯源科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN120018603A
,2025-05-16
[7]
半导体结构的制备方法和半导体结构
[P].
宛强
论文数:
0
引用数:
0
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0
宛强
;
占康澍
论文数:
0
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0
占康澍
;
夏军
论文数:
0
引用数:
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夏军
;
李森
论文数:
0
引用数:
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0
李森
;
徐朋辉
论文数:
0
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0
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0
徐朋辉
;
刘涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘涛
.
中国专利
:CN113192828A
,2021-07-30
[8]
半导体结构的制备方法和半导体结构
[P].
裴俊植
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
成都高真科技有限公司
成都高真科技有限公司
裴俊植
.
中国专利
:CN117355136A
,2024-01-05
[9]
半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件
[P].
李理
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
李理
.
中国专利
:CN118969820B
,2025-02-07
[10]
半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件
[P].
李理
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
李理
.
中国专利
:CN118969820A
,2024-11-15
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