半导体结构的制备方法和半导体结构

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申请号
CN202110302133.4
申请日
2021-03-22
公开(公告)号
CN115116962A
公开(公告)日
2022-09-27
发明(设计)人
卢经文
申请人
申请人地址
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L27108
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
王欢;黄健
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
卢经文 .
中国专利 :CN115116962B ,2024-06-07
[2]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
彭志高 ;
陶永洪 .
中国专利 :CN115663022A ,2023-01-31
[3]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
李军辉 ;
穆克军 .
中国专利 :CN114649285A ,2022-06-21
[4]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
徐康元 .
中国专利 :CN117855138A ,2024-04-09
[5]
半导体结构和半导体结构的制备方法 [P]. 
王婷 .
中国专利 :CN118039560A ,2024-05-14
[6]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120018603A ,2025-05-16
[7]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
宛强 ;
占康澍 ;
夏军 ;
李森 ;
徐朋辉 ;
刘涛 .
中国专利 :CN113192828A ,2021-07-30
[8]
半导体结构的制备方法和半导体结构 [P]. 
裴俊植 .
中国专利 :CN117355136A ,2024-01-05
[9]
半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN118969820B ,2025-02-07
[10]
半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN118969820A ,2024-11-15