半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

申请号：

CN202110906927.1

申请日：

2021-08-09

公开(公告)号：

CN114864586A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

徐文植尹大焕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711556 H01L2711568 H01L2711582 H01L2724 H01L4500

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮;黄纶伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20210809
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[2]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

[3]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金元住 ;

崔相武 ;

李太熙 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101752304A ,2010-06-23

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

李起洪 .

中国专利 :CN114334803A ,2022-04-12

[5]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

崔康植 .

中国专利 :CN114582877A ,2022-06-03

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

郭鲁珪 ;

张晶植 ;

朴寅洙 ;

梁娜英 ;

崔硕珉 ;

崔元根 ;

崔正达 .

韩国专利 :CN119031724A ,2024-11-26

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

金徐儇 ;

姜仁求 .

中国专利 :CN115084150A ,2022-09-20

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

姉崎彻 .

中国专利 :CN100461449C ,2006-09-27

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

郭鲁珪 ;

张晶植 ;

朴寅洙 ;

崔硕珉 ;

崔元根 ;

崔正达 .

韩国专利 :CN118450702A ,2024-08-06

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

李东旭 ;

梁海昌 .

韩国专利 :CN117641886A ,2024-03-01

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