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半导体装置和半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310259586.2
申请日：
2023-03-13
公开(公告)号：
CN117641886A
公开(公告)日：
2024-03-01
发明(设计)人：
李东旭
梁海昌
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
原宏宇;刘久亮
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230313 |
| 2024-03-01 | 公开 | 公开 |