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半导体器件及其制造方法和掩膜板

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810577992.2
申请日：
2018-06-05
公开(公告)号：
CN110571219A
公开(公告)日：
2019-12-13
发明(设计)人：
黄永彬 张宏 杨海玩
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2711524
IPC分类号：
H01L29423 H01L2128
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
屈蘅;李时云
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-12-13 公开 公开
2020-01-07 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20180605
2021-09-03 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法和掩膜板 [P]. 
黄永彬 ;
张宏 ;
周朝锋 ;
周乾 .
中国专利 :CN110571220A ,2019-12-13
[2]
掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 [P]. 
野泽顺 ;
宍戸博明 ;
酒井和也 .
中国专利 :CN110554561A ,2019-12-10
[3]
掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 [P]. 
野泽顺 ;
宍戸博明 ;
酒井和也 .
中国专利 :CN110673435A ,2020-01-10
[4]
掩膜层结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
宋长庚 ;
周朝锋 ;
李晓波 .
中国专利 :CN107481923B ,2017-12-15
[5]
半导体器件及其制造方法以及相移掩膜 [P]. 
渡边健一 ;
河野通有 ;
難波浩司 ;
助川和雄 ;
长谷川巧 ;
泽田丰治 ;
三谷纯一 .
中国专利 :CN1329982C ,2003-10-01
[6]
掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法 [P]. 
邱岩栈 ;
李镇全 ;
陈光鑫 .
中国专利 :CN118039463B ,2024-10-29
[7]
掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法 [P]. 
邱岩栈 ;
李镇全 ;
陈光鑫 .
中国专利 :CN118039463A ,2024-05-14
[8]
掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
程雷 ;
吴潇潇 .
中国专利 :CN113848678B ,2024-02-27
[9]
掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
程雷 ;
吴潇潇 .
中国专利 :CN113848678A ,2021-12-28
[10]
硬掩膜层结构及其制造方法和半导体器件制造方法 [P]. 
邓浩 ;
周鸣 .
中国专利 :CN103377886A ,2013-10-30
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