掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111117157.9

申请日：

2021-09-23

公开(公告)号：

CN113848678A

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

程雷吴潇潇

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

G03F136

IPC分类号：

G03F138 G03F168 G03F170 H01L21027

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

田婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20210923
2021-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P].

程雷 ;

吴潇潇 .

中国专利 :CN113848678B ,2024-02-27

[2]

掩膜版、半导体器件的制造方法 [P].

李寒骁 ;

陈金星 ;

马霏霏 .

中国专利 :CN113485069A ,2021-10-08

[3]

对准掩膜版以及半导体器件的制造方法 [P].

秦潇峰 ;

金涛 ;

温贵宝 ;

冯志强 ;

任杰 .

中国专利 :CN120330880A ,2025-07-18

[4]

掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

邱岩栈 ;

李镇全 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN118039463B ,2024-10-29

[5]

掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

邱岩栈 ;

李镇全 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN118039463A ,2024-05-14

[6]

一种用于制造半导体器件的掩膜版布局方法、掩膜版 [P].

马晨鑫 ;

简永浩 ;

邹雪峰 ;

任亚周 .

中国专利 :CN119376180A ,2025-01-28

[7]

一种用于制造半导体器件的掩膜版布局方法、掩膜版 [P].

马晨鑫 ;

简永浩 ;

邹雪峰 ;

任亚周 .

中国专利 :CN119376180B ,2025-11-25

[8]

半导体器件及其制造方法和掩膜板 [P].

黄永彬 ;

张宏 ;

杨海玩 .

中国专利 :CN110571219A ,2019-12-13

[9]

掩膜层结构、半导体器件及其制造方法 [P].

宋长庚 ;

周朝锋 ;

李晓波 .

中国专利 :CN107481923B ,2017-12-15

[10]

半导体器件及其制造方法和掩膜板 [P].

黄永彬 ;

张宏 ;

周朝锋 ;

周乾 .

中国专利 :CN110571220A ,2019-12-13

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