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一种用于制造半导体器件的掩膜版布局方法、掩膜版

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411525327.0
申请日：
2024-10-29
公开(公告)号：
CN119376180A
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
马晨鑫 简永浩 邹雪峰 任亚周
申请人：
深圳市昇维旭技术有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
IPC主分类号：
G03F1/70
IPC分类号：
代理机构：
北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851
代理人：
李晴
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-25 授权 授权
2025-02-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/70申请日:20241029
2025-01-28 公开 公开
共 50 条
[1]
一种用于制造半导体器件的掩膜版布局方法、掩膜版 [P]. 
马晨鑫 ;
简永浩 ;
邹雪峰 ;
任亚周 .
中国专利 :CN119376180B ,2025-11-25
[2]
掩膜版、半导体器件的制造方法 [P]. 
李寒骁 ;
陈金星 ;
马霏霏 .
中国专利 :CN113485069A ,2021-10-08
[3]
掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
程雷 ;
吴潇潇 .
中国专利 :CN113848678B ,2024-02-27
[4]
掩膜版及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
程雷 ;
吴潇潇 .
中国专利 :CN113848678A ,2021-12-28
[5]
对准掩膜版以及半导体器件的制造方法 [P]. 
秦潇峰 ;
金涛 ;
温贵宝 ;
冯志强 ;
任杰 .
中国专利 :CN120330880A ,2025-07-18
[6]
一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
凌坚 ;
孙彬 .
中国专利 :CN111638625A ,2020-09-08
[7]
一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
陈运生 .
中国专利 :CN111638624A ,2020-09-08
[8]
曝光辅助图案、掩膜版以及半导体器件的制造方法 [P]. 
程雷 ;
吴潇潇 .
中国专利 :CN114384754A ,2022-04-22
[9]
组合掩膜版、半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN108519725B ,2024-01-23
[10]
组合掩膜版、半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN108519725A ,2018-09-11
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