一种垂直结构的大功率深紫外LED芯片

被引：0

申请号：

CN202221280260.5

申请日：

2022-05-25

公开(公告)号：

CN217544640U

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

王峰赵海琴

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市太仓市科教新城子冈路27号6号楼8楼801室LA25

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3338 H01L3310 H01L3314 H01L3364

代理机构：

苏州博格华瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 32558

代理人：

丁浩秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王润 ;

赵韦人 .

中国专利 :CN208271932U ,2018-12-21

[2]

一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构 [P].

彭朝亮 .

中国专利 :CN209266440U ,2019-08-16

[3]

一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法 [P].

刘军林 ;

吕全江 .

中国专利 :CN112864293A ,2021-05-28

[4]

大功率的垂直结构LED芯片的封装 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN201741719U ,2011-02-09

[5]

一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法 [P].

周圣军 ;

徐浩浩 ;

万泽洪 .

中国专利 :CN111599906B ,2020-08-28

[6]

一种大功率LED芯片 [P].

孙雷蒙 ;

杨丹 ;

徐晓丽 .

中国专利 :CN211719611U ,2020-10-20

[7]

一种大功率LED芯片 [P].

张积慧 .

中国专利 :CN207134383U ,2018-03-23

[8]

一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片 [P].

曹一伟 ;

陈凯 ;

旷明胜 .

中国专利 :CN119545993A ,2025-02-28

[9]

一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王润 ;

赵韦人 .

中国专利 :CN108598228A ,2018-09-28

[10]

一种大功率垂直结构紫外LED芯片的设计和制作方法 [P].

王晓波 .

中国专利 :CN112786752A ,2021-05-11

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