一种半导体靶材组件及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010712342.1

申请日：

2020-07-22

公开(公告)号：

CN111850494A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

姚力军边逸军潘杰王学泽袁波

申请人：

申请人地址：

315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

B23P1500

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

王岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20200722
2020-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

高迁移率半导体IGZTO靶材及其有源层制备工艺 [P].

曾墩风 ;

王志强 ;

方月 ;

刘兴龙 .

中国专利 :CN120624996A ,2025-09-12

[2]

一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺 [P].

李明阳 ;

韩伟东 ;

刘军 .

中国专利 :CN106399721A ,2017-02-15

[3]

一种半导体工业用靶材及其制备方法 [P].

雷雨 ;

周志宏 ;

肖世洪 ;

刘芳 .

中国专利 :CN114150277A ,2022-03-08

[4]

一种半导体用铌靶材组件的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

侯娟华 .

中国专利 :CN112975295A ,2021-06-18

[5]

半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120640877A ,2025-09-12

[6]

一种半导体靶材夹具 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

郭周承 ;

章丽娜 .

中国专利 :CN215357374U ,2021-12-31

[7]

一种半导体高纯钛靶材组件的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

边逸军 ;

冯周瑜 ;

杨广 .

中国专利 :CN114043180A ,2022-02-15

[8]

一种半导体钼靶材及其制备方法和用途 [P].

姚力军 ;

郭红波 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

吴庆勇 .

中国专利 :CN111850495B ,2020-10-30

[9]

一种半导体用碗状靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

冯周瑜 ;

罗明浩 .

中国专利 :CN113718211A ,2021-11-30

[10]

一种半导体器件及其制备工艺 [P].

李严 .

中国专利 :CN117594662A ,2024-02-23

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