半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510789776.4
申请日
2025-06-13
公开(公告)号
CN120640877A
公开(公告)日
2025-09-12
发明(设计)人
请求不公布姓名
申请人
西湖烟山科技(杭州)有限公司
申请人地址
310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇智强路428号云创镓谷研发中心6号楼5层
IPC主分类号
H10H29/80
IPC分类号
H10H20/858 H10H29/01 H10H29/14 H10H20/01
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
黄立伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120051068A ,2025-05-27
[2]
半导体结构及其制备工艺 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN113948570A ,2022-01-18
[3]
半导体结构及其制备工艺 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN113948570B ,2024-07-26
[4]
半导体结构及其制备方法、发光阵列及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120152464A ,2025-06-13
[5]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180417A ,2020-05-19
[6]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180416A ,2020-05-19
[7]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180417B ,2025-01-10
[8]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180416B ,2025-04-25
[9]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885792A ,2021-06-01
[10]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885826A ,2021-06-01