半导体结构及其制备工艺、电子装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911198108.5
申请日
2019-11-29
公开(公告)号
CN112885826A
公开(公告)日
2021-06-01
发明(设计)人
庄凌艺
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L2518
IPC分类号
H01L23552 H01L2331 H01L2178 H01L2156
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
阚梓瑄;孙宝海
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885814A ,2021-06-01
[2]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885792A ,2021-06-01
[3]
半导体结构及其制备工艺 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN113948570A ,2022-01-18
[4]
半导体结构及其制备工艺 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN113948570B ,2024-07-26
[5]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180417A ,2020-05-19
[6]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180416A ,2020-05-19
[7]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180417B ,2025-01-10
[8]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180416B ,2025-04-25
[9]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120640877A ,2025-09-12
[10]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120051068A ,2025-05-27