半导体结构及其制备工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111199257.0
申请日
2021-10-14
公开(公告)号
CN113948570A
公开(公告)日
2022-01-18
发明(设计)人
康晓旭
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2102
代理机构
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人
黄海霞
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备工艺 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN113948570B ,2024-07-26
[2]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180417A ,2020-05-19
[3]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
林鼎佑 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN111180416A ,2020-05-19
[4]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180417B ,2025-01-10
[5]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 ;
林鼎佑 .
中国专利 :CN111180416B ,2025-04-25
[6]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120640877A ,2025-09-12
[7]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120051068A ,2025-05-27
[8]
半导体结构的制备工艺及半导体结构 [P]. 
许俊杰 .
中国专利 :CN114373677A ,2022-04-19
[9]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885792A ,2021-06-01
[10]
半导体结构及其制备工艺、电子装置 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN112885826A ,2021-06-01