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半导体结构及其制备工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111199257.0
申请日
:
2021-10-14
公开(公告)号
:
CN113948570A
公开(公告)日
:
2022-01-18
发明(设计)人
:
康晓旭
申请人
:
申请人地址
:
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2102
代理机构
:
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人
:
黄海霞
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211014
2022-01-18
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其制备工艺
[P].
康晓旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
康晓旭
.
中国专利
:CN113948570B
,2024-07-26
[2]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件
[P].
林鼎佑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林鼎佑
;
其他发明人请求不公开姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
其他发明人请求不公开姓名
.
中国专利
:CN111180417A
,2020-05-19
[3]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件
[P].
林鼎佑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林鼎佑
;
其他发明人请求不公开姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
其他发明人请求不公开姓名
.
中国专利
:CN111180416A
,2020-05-19
[4]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
;
林鼎佑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
林鼎佑
.
中国专利
:CN111180417B
,2025-01-10
[5]
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
;
林鼎佑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
林鼎佑
.
中国专利
:CN111180416B
,2025-04-25
[6]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西湖烟山科技(杭州)有限公司
西湖烟山科技(杭州)有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN120640877A
,2025-09-12
[7]
半导体结构及其制备工艺、发光阵列及其制备工艺
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西湖烟山科技(杭州)有限公司
西湖烟山科技(杭州)有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN120051068A
,2025-05-27
[8]
半导体结构的制备工艺及半导体结构
[P].
许俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许俊杰
.
中国专利
:CN114373677A
,2022-04-19
[9]
半导体结构及其制备工艺、电子装置
[P].
庄凌艺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
庄凌艺
.
中国专利
:CN112885792A
,2021-06-01
[10]
半导体结构及其制备工艺、电子装置
[P].
庄凌艺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
庄凌艺
.
中国专利
:CN112885826A
,2021-06-01
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