发光二极管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010243860.X

申请日：

2010-08-04

公开(公告)号：

CN102347420A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

林升柏

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3352 H01L2150 H01L2156

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	公开	公开
2016-01-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726263840 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:201010243860X 申请公布日:20120208
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208127080 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:201010243860X 申请日:20100804

共 50 条

[1]

发光二极管制造方法 [P].

J·莱昂斯 ;

顾炳和 ;

A·S·布列克 ;

W·周 ;

P·J·坡帕 ;

G·卡纳里昂 ;

J·R·艾尔 .

中国专利 :CN103022380B ,2013-04-03

[2]

发光二极管制造方法 [P].

邱镜学 ;

林雅雯 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103840037B ,2014-06-04

[3]

发光二极管装置及其制造方法 [P].

林孜翰 ;

林孜颖 ;

翁瑞坪 ;

康为纮 .

中国专利 :CN101740682B ,2010-06-16

[4]

发光二极管装置及其制造方法 [P].

王唯科 ;

林孜翰 .

中国专利 :CN101728470B ,2010-06-09

[5]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103811606A ,2014-05-21

[6]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN104377284B ,2015-02-25

[7]

发光二极管制作方法 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102117872B ,2011-07-06

[8]

发光二极管结构及发光二极管制造方法 [P].

赵显敏 ;

闵正泓 ;

金大贤 ;

金东旭 ;

郑载勳 .

中国专利 :CN113169249A ,2021-07-23

[9]

发光二极管制造方法 [P].

陈滨全 ;

林新强 ;

曾文良 .

中国专利 :CN102694081A ,2012-09-26

[10]

发光二极管制造方法 [P].

陈滨全 ;

陈隆欣 .

中国专利 :CN103887410A ,2014-06-25

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