一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810634014.7

申请日：

2018-06-20

公开(公告)号：

CN108807553B

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	授权	授权
2018-11-13	公开	公开
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20180620

共 50 条

[1]

磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用 [P].

魏钟鸣 ;

房景治 ;

黎博 ;

廖志敏 ;

杨珏晗 ;

魏大海 ;

宗易昕 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN111430536B ,2020-07-17

[2]

一种基于二维半导体材料的CMOS器件及其制备方法 [P].

包文中 .

中国专利 :CN120769559A ,2025-10-10

[3]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[4]

一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

王慧敏 ;

陈亮 ;

陈诚 ;

赵阳 .

中国专利 :CN108565288B ,2018-09-21

[5]

一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法 [P].

周长见 ;

吕喆 ;

冯志红 ;

蔚翠 .

中国专利 :CN109786498A ,2019-05-21

[6]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[7]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[8]

一种基于二维半导体晶体的栅控PN结 [P].

刘景全 ;

郭杰 .

中国专利 :CN104078508B ,2014-10-01

[9]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[10]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

← 1 2 3 4 5 →