一种超低损耗钽系巨介电常数介质材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811093695.7
申请日
2018-09-19
公开(公告)号
CN109206133A
公开(公告)日
2019-01-15
发明(设计)人
李玲霞 卢特 张宁 王文波
申请人
申请人地址
300072 天津市南开区卫津路92号
IPC主分类号
C04B3546
IPC分类号
C04B35622
代理机构
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201
代理人
张宏祥
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种超低损耗巨介电常数介质材料及其制备方法 [P]. 
李玲霞 ;
卢特 ;
张宁 ;
王文波 .
中国专利 :CN108947522A ,2018-12-07
[2]
一种超低损耗巨介电常数温度稳定型电容器介质材料 [P]. 
李玲霞 ;
卢特 ;
张宁 ;
李江腾 ;
蔡朝阳 .
中国专利 :CN107399967A ,2017-11-28
[3]
一种钛酸钡基低损耗巨介电常数电介质材料及其制备方法 [P]. 
李玲霞 ;
王文波 ;
张宁 ;
卢特 ;
王瑞杰 .
中国专利 :CN108546115A ,2018-09-18
[4]
一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法 [P]. 
李玲霞 ;
卢特 ;
张宁 ;
王文波 .
中国专利 :CN108178628A ,2018-06-19
[5]
一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法 [P]. 
成鹏飞 ;
宋江 .
中国专利 :CN107285760B ,2017-10-24
[6]
一种高性能巨介电常数介质材料 [P]. 
李玲霞 ;
卢特 ;
张宁 ;
王文波 .
中国专利 :CN109265162A ,2019-01-25
[7]
一种高介电常数低损耗锆钛酸钡介质材料及其制备方法 [P]. 
李玲霞 ;
郑浩然 ;
孙正 ;
于仕辉 ;
陈思亮 .
中国专利 :CN108689702A ,2018-10-23
[8]
超低介电常数微波介质材料及其制备方法 [P]. 
李雷 ;
洪文彬 ;
陈湘明 .
中国专利 :CN110423093B ,2019-11-08
[9]
一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法 [P]. 
曹明贺 ;
周兴兴 ;
戚俊磊 ;
刘韩星 ;
郝华 ;
尧中华 .
中国专利 :CN107500756A ,2017-12-22
[10]
一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
李玲霞 ;
陈思亮 ;
于仕辉 ;
郑浩然 .
中国专利 :CN107640969A ,2018-01-30