垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880099647.0

申请日：

2018-09-25

公开(公告)号：

CN113169519B

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

汪洋贺永祥

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明新区凤凰街道高新技术产业园区邦凯路9号邦凯科技工业园1栋办公楼201

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

代理机构：

深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217

代理人：

郭伟刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	公开	公开
2022-12-30	授权	授权
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20180925

共 50 条

[1]

垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列 [P].

汪洋 ;

贺永祥 .

中国专利 :CN113169522B ,2021-07-23

[2]

垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

唐家乐 .

中国专利 :CN114678768A ,2022-06-28

[3]

垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

赖铭智 .

中国专利 :CN114927938A ,2022-08-19

[4]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

中国专利 :CN110875573A ,2020-03-10

[5]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

日本专利 :CN110875573B ,2024-06-14

[6]

垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

范谦 ;

倪贤锋 ;

华斌 ;

崔莹 .

中国专利 :CN111600200A ,2020-08-28

[7]

垂直腔面发射激光器阵列 [P].

李浩 .

中国专利 :CN215418967U ,2022-01-04

[8]

垂直腔面发射激光器阵列 [P].

M.A.希拉齐侯赛尼多克特 ;

A.V.巴夫 ;

M.G.彼得斯 .

中国专利 :CN114079231A ,2022-02-22

[9]

具备倒装结构的垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器阵列 [P].

方照诒 ;

郭浩中 ;

潘德烈 .

中国专利 :CN215119537U ,2021-12-10

[10]

垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 [P].

近藤崇 ;

村上朱实 ;

城岸直辉 ;

早川纯一朗 ;

樱井淳 .

中国专利 :CN106505410B ,2017-03-15

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