半导体存储器件及其延时信号生成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610077358.X

申请日：

2006-04-29

公开(公告)号：

CN100592422C

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

朴光一全永铉张星珍宋镐永

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C114063

IPC分类号：

G11C1140

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邵亚丽;李晓舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	授权	授权
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法、存储器系统、信号生成方法 [P].

郑好 ;

范冬宇 ;

方语萱 ;

刘磊 .

中国专利 :CN120379241A ,2025-07-25

[2]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541B ,2024-09-03

[3]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541A ,2021-10-08

[4]

半导体存储器件及其形成方法 [P].

李钟昱 ;

孙龙勋 ;

崔时荣 .

中国专利 :CN101330085A ,2008-12-24

[5]

延迟锁定环、半导体存储器件、及延迟时钟信号生成方法 [P].

朴光一 .

中国专利 :CN101102109A ,2008-01-09

[6]

半导体结构及其形成方法、半导体存储器件 [P].

王楚玉 .

中国专利 :CN109244118A ,2019-01-18

[7]

半导体存储器件 [P].

辛贤真 .

韩国专利 :CN109697999B ,2024-07-09

[8]

半导体存储器件 [P].

辛贤真 .

中国专利 :CN109697999A ,2019-04-30

[9]

半导体存储器件、半导体器件及其制造方法 [P].

岩田浩 ;

小仓孝之 ;

柴田晃秀 .

中国专利 :CN1574366A ,2005-02-02

[10]

半导体存储器件结及其形成方法 [P].

孙玄洙 .

中国专利 :CN101483177A ,2009-07-15

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