学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
半导体结构及其形成方法、半导体存储器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811057328.1
申请日
:
2018-09-11
公开(公告)号
:
CN109244118A
公开(公告)日
:
2019-01-18
发明(设计)人
:
王楚玉
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L27105
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
董天宝;于宝庆
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-18
公开
公开
2019-02-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180911
共 50 条
[1]
半导体结构及半导体存储器件
[P].
王楚玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王楚玉
.
中国专利
:CN208781855U
,2019-04-23
[2]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
占康澍
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
占康澍
;
宛强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
宛强
;
徐朋辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
徐朋辉
;
刘涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
刘涛
;
李森
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
李森
;
夏军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
夏军
.
中国专利
:CN115241372B
,2025-02-11
[3]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
李世鸿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李世鸿
.
中国专利
:CN114823310A
,2022-07-29
[4]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
和娟娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
和娟娟
;
黄信斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
黄信斌
.
中国专利
:CN114725099B
,2024-09-13
[5]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
吴宏旻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴宏旻
.
中国专利
:CN113161356B
,2021-07-23
[6]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
陈龙阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈龙阳
;
刘忠明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘忠明
;
武宏发
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
武宏发
;
吴公一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴公一
.
中国专利
:CN115312464A
,2022-11-08
[7]
存储器件、半导体结构及其形成方法
[P].
和娟娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
和娟娟
;
黄信斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄信斌
.
中国专利
:CN114725099A
,2022-07-08
[8]
半导体结构及其形成方法、存储器
[P].
崔兆培
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔兆培
;
宋影
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋影
.
中国专利
:CN114864390A
,2022-08-05
[9]
半导体结构及其形成方法、存储器
[P].
崔兆培
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔兆培
;
宋影
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋影
.
中国专利
:CN115083900A
,2022-09-20
[10]
半导体存储器件及其形成方法
[P].
李钟昱
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李钟昱
;
孙龙勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙龙勋
;
崔时荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔时荣
.
中国专利
:CN101330085A
,2008-12-24
←
1
2
3
4
5
→