半导体结构及其形成方法、半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811057328.1
申请日
2018-09-11
公开(公告)号
CN109244118A
公开(公告)日
2019-01-18
发明(设计)人
王楚玉
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L27105
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
董天宝;于宝庆
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及半导体存储器件 [P]. 
王楚玉 .
中国专利 :CN208781855U ,2019-04-23
[2]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
占康澍 ;
宛强 ;
徐朋辉 ;
刘涛 ;
李森 ;
夏军 .
中国专利 :CN115241372B ,2025-02-11
[3]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
李世鸿 .
中国专利 :CN114823310A ,2022-07-29
[4]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
和娟娟 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114725099B ,2024-09-13
[5]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴宏旻 .
中国专利 :CN113161356B ,2021-07-23
[6]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈龙阳 ;
刘忠明 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN115312464A ,2022-11-08
[7]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
和娟娟 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114725099A ,2022-07-08
[8]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
崔兆培 ;
宋影 .
中国专利 :CN114864390A ,2022-08-05
[9]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
崔兆培 ;
宋影 .
中国专利 :CN115083900A ,2022-09-20
[10]
半导体存储器件及其形成方法 [P]. 
李钟昱 ;
孙龙勋 ;
崔时荣 .
中国专利 :CN101330085A ,2008-12-24