存储器件、半导体结构及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202110501882.X

申请日：

2021-05-08

公开(公告)号：

CN115312464A

公开(公告)日：

2022-11-08

发明(设计)人：

陈龙阳刘忠明武宏发吴公一

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

王辉;阚梓瑄

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20210508
2022-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

占康澍 ;

宛强 ;

徐朋辉 ;

刘涛 ;

李森 ;

夏军 .

中国专利 :CN115241372B ,2025-02-11

[2]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

李世鸿 .

中国专利 :CN114823310A ,2022-07-29

[3]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

和娟娟 ;

黄信斌 .

中国专利 :CN114725099B ,2024-09-13

[4]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

吴宏旻 .

中国专利 :CN113161356B ,2021-07-23

[5]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

和娟娟 ;

黄信斌 .

中国专利 :CN114725099A ,2022-07-08

[6]

半导体结构及其形成方法、半导体存储器件 [P].

王楚玉 .

中国专利 :CN109244118A ,2019-01-18

[7]

半导体结构及其形成方法、存储器 [P].

许占齐 ;

廖君玮 ;

薛东 .

中国专利 :CN118647202A ,2024-09-13

[8]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541B ,2024-09-03

[9]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541A ,2021-10-08

[10]

半导体存储器件及其形成方法 [P].

熊丹荣 ;

商显涛 ;

卢世阳 ;

孙慧岩 ;

马晓姿 ;

张超 ;

刘宏喜 ;

王戈飞 .

中国专利 :CN120264768B ,2025-08-15

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