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存储器件、半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110240944.6
申请日：
2021-03-04
公开(公告)号：
CN113161356B
公开(公告)日：
2021-07-23
发明(设计)人：
吴宏旻
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L23528
H01L23538
代理机构：
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人：
王辉;阚梓瑄
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-07-23 | 公开 | 公开 |
| 2022-03-22 | 授权 | 授权 |
| 2021-08-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210304 |