半导体器件及其形成方法、存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410451687.4

申请日：

2024-04-15

公开(公告)号：

CN120825948A

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

黄腾石艳伟张权周璐孟志贤陈成

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B41/41

IPC分类号：

H10B41/35 H10B41/42 H10B41/20 H10B43/40 H10B43/35 H10B43/20

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

罗晶瑾;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	公开	公开
2025-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/41申请日:20240415

共 50 条

[1]

半导体存储器件及其形成方法 [P].

李钟昱 ;

孙龙勋 ;

崔时荣 .

中国专利 :CN101330085A ,2008-12-24

[2]

存储器及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109148376B ,2019-01-04

[3]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

占康澍 ;

宛强 ;

徐朋辉 ;

刘涛 ;

李森 ;

夏军 .

中国专利 :CN115241372B ,2025-02-11

[4]

存储器件、半导体结构及其形成方法 [P].

吴宏旻 .

中国专利 :CN113161356B ,2021-07-23

[5]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541B ,2024-09-03

[6]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541A ,2021-10-08

[7]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249A ,2021-10-22

[8]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249B ,2024-09-06

[9]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113380822B ,2024-12-27

[10]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820A ,2021-09-10

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