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存储器件、半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110441152.5
申请日：
2021-04-23
公开(公告)号：
CN115241372B
公开(公告)日：
2025-02-11
发明(设计)人：
占康澍 宛强 徐朋辉 刘涛 李森 夏军
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10D1/68
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-11 授权 授权
共 50 条
[1]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴宏旻 .
中国专利 :CN113161356B ,2021-07-23
[2]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
李世鸿 .
中国专利 :CN114823310A ,2022-07-29
[3]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
和娟娟 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114725099B ,2024-09-13
[4]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈龙阳 ;
刘忠明 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN115312464A ,2022-11-08
[5]
存储器件、半导体结构及其形成方法 [P]. 
和娟娟 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114725099A ,2022-07-08
[6]
半导体结构及其形成方法、半导体存储器件 [P]. 
王楚玉 .
中国专利 :CN109244118A ,2019-01-18
[7]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
韩清华 .
中国专利 :CN117693185A ,2024-03-12
[8]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
吕开敏 .
中国专利 :CN117711957A ,2024-03-15
[9]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
宛伟 ;
刘梅花 .
中国专利 :CN118039473A ,2024-05-14
[10]
半导体结构及其形成方法、存储器 [P]. 
许占齐 ;
廖君玮 ;
薛东 .
中国专利 :CN118647202A ,2024-09-13
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