压力传感器空腔结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010208751.4

申请日：

2010-06-24

公开(公告)号：

CN102297737A

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

彭虎方精训

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G01L120

IPC分类号：

G01L902 B81B700 B81C100

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

顾继光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	授权	授权
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684694942 IPC(主分类):G01L 1/20 专利号:ZL2010102087514 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185314541 IPC(主分类):G01L 1/20 专利申请号:2010102087514 申请日:20100624
2011-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

压力传感器及其制作方法 [P].

钱栋彪 .

中国专利 :CN105092110A ,2015-11-25

[2]

压力传感器及其制作方法 [P].

季锋 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

孙伟 .

中国专利 :CN105241587A ,2016-01-13

[3]

压力传感器及其制作方法 [P].

陈敏 ;

马清杰 .

中国专利 :CN103616123A ,2014-03-05

[4]

压力传感器结构及其制作方法 [P].

刘斌 ;

范亚明 ;

朱璞成 ;

陈诗伟 ;

刘芹篁 ;

黄蓉 .

中国专利 :CN109580077B ,2019-04-05

[5]

MEMS压力传感器的空腔制作方法 [P].

张亚娇 .

中国专利 :CN118811768A ,2024-10-22

[6]

高温压力传感器及其制作方法 [P].

王敏锐 ;

孙福河 .

中国专利 :CN106468604A ,2017-03-01

[7]

压力传感器及其制作方法 [P].

王小平 ;

曹万 ;

李凡亮 ;

吴登峰 ;

李兵 ;

施涛 .

中国专利 :CN117968924A ,2024-05-03

[8]

压力传感器及其制作方法 [P].

陈帅 ;

倪文海 ;

徐文华 .

中国专利 :CN106384749A ,2017-02-08

[9]

压力传感器及其制作方法 [P].

王顺 ;

张兵兵 ;

肖滨 .

中国专利 :CN118111619B ,2024-08-02

[10]

压力传感器及其制作方法 [P].

宁世朝 ;

蔡芳松 ;

程勇 .

中国专利 :CN112014026A ,2020-12-01

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