MEMS压力传感器的空腔制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410922817.8

申请日：

2024-07-10

公开(公告)号：

CN118811768A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

张亚娇

申请人：

广州增芯科技有限公司

申请人地址：

511365 广东省广州市增城区宁西街创优路333号

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

李晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20240710
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MEMS压力传感器空腔的制作方法 [P].

黄金海 .

中国专利 :CN119240599A ,2025-01-03

[2]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

关荣锋 ;

田大垒 ;

赵文卿 ;

王杏 .

中国专利 :CN101738280B ,2010-06-16

[3]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102156012A ,2011-08-17

[4]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102183335A ,2011-09-14

[5]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

郑超 ;

许继辉 ;

于佳 .

中国专利 :CN104949776A ,2015-09-30

[6]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

张鹏举 ;

刘汉青 ;

张郑欣 ;

郭蕾 ;

张佳立 ;

崔军蕊 ;

付和平 ;

田总福 ;

陈龙 .

中国专利 :CN119803739A ,2025-04-11

[7]

压力传感器空腔结构及其制作方法 [P].

彭虎 ;

方精训 .

中国专利 :CN102297737A ,2011-12-28

[8]

MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

闫文明 .

中国专利 :CN113432777A ,2021-09-24

[9]

压力传感器及压力传感器的制作方法 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

王栋杰 ;

胡洪 .

中国专利 :CN115655534A ,2023-01-31

[10]

压力传感器的制作方法以及压力传感器 [P].

杨海波 ;

李忠平 .

中国专利 :CN104071744A ,2014-10-01

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