一种介孔超薄g-C3N4光催化纳米片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811255613.4

申请日：

2018-10-26

公开(公告)号：

CN111097472B

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

李新海杨晓龙汪妍

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市昆山市巴城镇诚翔路285号2号房

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

B01J3502 C01B21082

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

俞光明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/24 申请日:20181026
2020-05-05	公开	公开
2022-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法 [P].

黄敏旋 ;

王丽伟 ;

符浩 ;

余克服 ;

王英辉 .

中国专利 :CN109607500A ,2019-04-12

[2]

一种Pt/g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111082083A ,2020-04-28

[3]

蒸汽辅助制备g-C3N4纳米片的方法 [P].

舒杼 ;

谭义根 ;

周俊 .

中国专利 :CN110745793A ,2020-02-04

[4]

一种CdS/g-C3N4双纳米片复合光催化剂的制备方法 [P].

张金龙 ;

雷菊英 ;

江振颖 ;

刘勇弟 ;

王灵芝 ;

郑家豪 ;

张嘉宽 ;

姜森 .

中国专利 :CN109126854A ,2019-01-04

[5]

一种具有缺陷g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法 [P].

邢伟男 ;

张亭亭 ;

邹景卉 ;

张玉婧 ;

熊若帆 ;

徐洲洲 ;

肖雅楠 ;

贺伟 ;

吴光瑜 ;

韩建刚 ;

李萍萍 .

中国专利 :CN112246272A ,2021-01-22

[6]

一种超薄S,B共掺杂g-C3N4光催化剂及其制备方法 [P].

王娟丽 .

中国专利 :CN111450869A ,2020-07-28

[7]

介孔氮化碳的制备方法、N-TiO2/g-C3N4复合光催化剂及其制备方法 [P].

刘自力 ;

曹敏锋 ;

罗扬 ;

左建良 ;

王琪莹 .

中国专利 :CN109046432A ,2018-12-21

[8]

一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用 [P].

薛健 ;

周燚洒 ;

张娅 .

中国专利 :CN112897484A ,2021-06-04

[9]

一种碳/硫共掺杂介孔g-C3N4复合光催化材料的制备方法 [P].

刘海瑞 ;

高翔 ;

宋蕊 ;

杨枫 ;

杨纪恩 ;

翟海法 .

中国专利 :CN110227530B ,2019-09-13

[10]

具有铁磁性B掺杂g-C3N4二维超薄纳米片的制备方法 [P].

高大强 ;

刘永刚 .

中国专利 :CN106006583B ,2016-10-12

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