具有室温线性磁阻效应的层状单晶材料、制备方法及应用

被引：0

申请号：

CN202210895749.1

申请日：

2022-07-27

公开(公告)号：

CN115418715A

公开(公告)日：

2022-12-02

发明(设计)人：

曹桂新黄亚磊

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C30B2946 G01R3309 G11B5127

代理机构：

重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230

代理人：

任苇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20220727
2022-12-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有室温线性磁阻效应的单晶材料及其用途 [P].

曹桂新 ;

齐方怡 .

中国专利 :CN114167327B ,2024-04-26

[2]

一种具有室温线性磁阻效应的单晶材料及其用途 [P].

曹桂新 ;

齐方怡 .

中国专利 :CN114167327A ,2022-03-11

[3]

具有巨大垂直矫顽力的单晶材料、制备方法及应用 [P].

曹桂新 ;

沈维豪 .

中国专利 :CN115679434A ,2023-02-03

[4]

用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

薛庆忠 ;

田鹏 .

中国专利 :CN1267575C ,2004-04-07

[5]

具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用 [P].

杨晓岩 ;

曹桂新 ;

黄亚磊 ;

张金仓 .

中国专利 :CN115044981A ,2022-09-13

[6]

具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用 [P].

杨晓岩 ;

曹桂新 ;

黄亚磊 ;

张金仓 .

中国专利 :CN115044981B ,2024-03-12

[7]

具有大垂直矫顽力的单晶材料及其制备方法和应用 [P].

曹桂新 ;

沈维豪 .

中国专利 :CN115679434B ,2025-08-01

[8]

具有磁阻效应的装置及其应用 [P].

W·萨弗特 ;

G·里格 ;

M·鲁里格 ;

R·帕特佐德尔 ;

G·施米德 ;

J·维克 ;

R·韦斯 .

中国专利 :CN101427395A ,2009-05-06

[9]

用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

薛庆忠 ;

朱丹丹 .

中国专利 :CN1200468C ,2003-06-04

[10]

用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

朱丹丹 ;

薛庆忠 .

中国专利 :CN1188543C ,2003-04-23

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