用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03100177.7

申请日：

2003-01-09

公开(公告)号：

CN1200468C

公开(公告)日：

2003-06-04

发明(设计)人：

章晓中薛庆忠朱丹丹

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084－82信箱

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4310

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

李光松

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101204510093 IPC(主分类):H01L 43/12 专利号:ZL031001777 申请日:20030109 授权公告日:20050504 终止日期:20110109
2005-05-04	授权	授权
2003-06-04	公开	公开
2003-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 30 条

[1]

用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

薛庆忠 ;

田鹏 .

中国专利 :CN1267575C ,2004-04-07

[2]

用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

朱丹丹 ;

薛庆忠 .

中国专利 :CN1188543C ,2003-04-23

[3]

激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

万蔡华 ;

高熙礼 ;

张歆 ;

吴利华 .

中国专利 :CN101550530A ,2009-10-07

[4]

具有室温线性磁阻效应的层状单晶材料、制备方法及应用 [P].

曹桂新 ;

黄亚磊 .

中国专利 :CN115418715A ,2022-12-02

[5]

具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法 [P].

谭新玉 ;

章晓中 ;

王集敏 ;

万蔡华 .

中国专利 :CN101840941B ,2010-09-22

[6]

激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法 [P].

方庆清 ;

张瀚铭 .

中国专利 :CN102372500A ,2012-03-14

[7]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[8]

脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法 [P].

何云斌 ;

徐芳 ;

黎明锴 ;

周桃生 .

中国专利 :CN104388894A ,2015-03-04

[9]

可制备平整的薄膜材料的脉冲激光沉积方法及其装置 [P].

沈维康 ;

马玉蓉 ;

方容川 ;

王冠中 ;

韩新海 .

中国专利 :CN1389590A ,2003-01-08

[10]

一种Cs2SnI6薄膜的激光脉冲沉积制备方法 [P].

罗派峰 ;

夏伟 ;

周圣稳 .

中国专利 :CN105925938B ,2016-09-07