激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110143396.1

申请日：

2011-05-31

公开(公告)号：

CN102372500A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

方庆清张瀚铭

申请人：

申请人地址：

230039 安徽省合肥市肥西路3号

IPC主分类号：

C04B4150

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101635226658 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2011101433961 申请公布日:20120314
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231929751 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2011101433961 申请日:20110531
2011-08-24	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101178090795 IPC(主分类):无专利号:无专利申请号:2011101433961 收件人:安徽大学\|方庆清文件名称:修改更正通知书
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜 [P].

韩培培 ;

王丽 ;

权纯逸 ;

连建设 .

中国专利 :CN103290366A ,2013-09-11

[2]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[3]

激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法 [P].

王如志 ;

王宇清 ;

严辉 ;

王波 ;

张铭 ;

宋雪梅 ;

朱满康 ;

侯育冬 ;

刘晶冰 ;

汪浩 .

中国专利 :CN103484823A ,2014-01-01

[4]

一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法 [P].

吴琛 ;

白国华 ;

严密 .

中国专利 :CN105575771A ,2016-05-11

[5]

飞秒脉冲激光制备β－FeSi2半导体薄膜的方法 [P].

周幼华 ;

陆培祥 ;

郑启光 .

中国专利 :CN1664989A ,2005-09-07

[6]

P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法 [P].

刘冰 ;

胡振东 ;

车勇 ;

上原譲 .

中国专利 :CN101058867B ,2007-10-24

[7]

P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法 [P].

刘冰 ;

胡振东 ;

车勇 ;

上原譲 .

中国专利 :CN101942642A ,2011-01-12

[8]

p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183595B ,2008-05-21

[9]

避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法 [P].

蔡奇风 ;

陈彦亨 ;

王玲 .

中国专利 :CN120237018A ,2025-07-01

[10]

避免Cu扩散的半导体封装结构的制备方法 [P].

蔡奇风 ;

陈彦亨 ;

王玲 .

中国专利 :CN120237012A ,2025-07-01

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