P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710086483.1

申请日：

2007-03-13

公开(公告)号：

CN101058867B

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

刘冰胡振东车勇上原譲

申请人：

申请人地址：

美国密歇根州

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1422 C23C1458 C23C1454 C23C1428 C03C1700

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

王维绮

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101658409291 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2007100864831 申请日:20070313 授权公告日:20110921 终止日期:20150313
2007-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-24	公开	公开
2011-09-21	授权	授权

共 50 条

[1]

P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法 [P].

刘冰 ;

胡振东 ;

车勇 ;

上原譲 .

中国专利 :CN101942642A ,2011-01-12

[2]

一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法 [P].

张柏诚 ;

贾毅 ;

贾泓超 ;

夏洋 .

中国专利 :CN105779971A ,2016-07-20

[3]

铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法 [P].

孙晔 ;

刘潇 ;

于淼 ;

尹永琦 ;

杨彬 ;

曹文武 .

中国专利 :CN104593733B ,2015-05-06

[4]

用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 [P].

赵东旭 ;

曹萍 ;

吕有明 ;

申德振 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101225549A ,2008-07-23

[5]

一种制备氧化锌薄膜的方法和氧化锌薄膜 [P].

陈莉萍 ;

郭雪祥 ;

何绿 ;

黄仕华 ;

郭海 .

中国专利 :CN105112851A ,2015-12-02

[6]

制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 [P].

秦杰明 ;

姚斌 ;

张吉英 ;

申德振 ;

赵东旭 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101289317A ,2008-10-22

[7]

一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

陈江博 ;

万晓婧 .

中国专利 :CN101698932B ,2010-04-28

[8]

制备p型氧化锌半导体体材料的方法 [P].

秦杰明 ;

姚斌 ;

张吉英 ;

申德振 ;

赵东旭 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101311364A ,2008-11-26

[9]

δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 [P].

魏鸿源 ;

刘祥林 ;

张攀峰 ;

焦春美 ;

王占国 .

中国专利 :CN100511739C ,2008-10-08

[10]

形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法 [P].

园田雄一 .

中国专利 :CN1150353C ,1999-11-10

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