一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510931283.6

申请日：

2015-12-15

公开(公告)号：

CN105575771A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

吴琛白国华严密

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

郑海峰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	公开	公开
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663906417 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015109312836 申请日:20151215
2019-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405B ,2025-11-28

[2]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405A ,2022-03-08

[3]

电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法 [P].

颜世申 ;

陈延学 ;

刘国磊 ;

梅良模 ;

田玉峰 ;

乔瑞敏 .

中国专利 :CN100595851C ,2008-09-03

[4]

一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法 [P].

李卓君 ;

宋叶凯 ;

彭炜 ;

牟刚 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN110438567A ,2019-11-12

[5]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

张俊 ;

望贤成 .

中国专利 :CN107887098A ,2018-04-06

[6]

高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法 [P].

刘国磊 ;

曹强 ;

颜世申 ;

梅良模 ;

陈延学 .

中国专利 :CN103400679B ,2013-11-20

[7]

一种改变半导体材料PN型的制备方法 [P].

王丽 ;

高东文 ;

苏雪琼 ;

王进 .

中国专利 :CN114645251A ,2022-06-21

[8]

激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法 [P].

方庆清 ;

张瀚铭 .

中国专利 :CN102372500A ,2012-03-14

[9]

铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法 [P].

米文搏 ;

叶天宇 ;

白海力 .

中国专利 :CN101736303A ,2010-06-16

[10]

一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法 [P].

罗永松 ;

闫海龙 ;

彭涛 ;

陆阳 ;

程晋炳 ;

罗荣杰 ;

候晓艺 .

中国专利 :CN105731544B ,2016-07-06

← 1 2 3 4 5 →