一种改变半导体材料PN型的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210260057.X

申请日：

2022-03-16

公开(公告)号：

CN114645251A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

王丽高东文苏雪琼王进

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C23C1428

IPC分类号：

C23C1418 C23C1454 B22F302 B22F310 B22F500 B22F904 H01L2102

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张立改

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/28 申请日:20220316

共 50 条

[1]

一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

陈江博 ;

万晓婧 .

中国专利 :CN101921986A ,2010-12-22

[2]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[3]

一种氧化锌掺杂同质PN结 [P].

王丽 ;

苏雪琼 ;

陈江博 ;

万晓婧 .

中国专利 :CN201754405U ,2011-03-02

[4]

一种氧化铜半导体薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106756831A ,2017-05-31

[5]

一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法 [P].

李卓君 ;

宋叶凯 ;

彭炜 ;

牟刚 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN110438567A ,2019-11-12

[6]

一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法 [P].

王庶民 ;

潘文武 ;

李耀耀 ;

王朋 ;

王凯 ;

吴晓燕 ;

崔健 .

中国专利 :CN104810454A ,2015-07-29

[7]

柔性衬底生长n型ZnMgO掺Ga半导体薄膜的方法 [P].

朱丽萍 ;

袁伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN101403094A ,2009-04-08

[8]

一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法 [P].

吴琛 ;

白国华 ;

严密 .

中国专利 :CN105575771A ,2016-05-11

[9]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[10]

一种半导体薄膜及其制备方法 [P].

闫一方 .

中国专利 :CN110643967A ,2020-01-03

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