一种氧化铜半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611226700.8

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN106756831A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

215009 江苏省苏州市高新区美田里路2号5幢113室

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408 C23C1402

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/34 申请公布日:20170531
2017-05-31	公开	公开
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729316702 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2016112267008 申请日:20161227

共 50 条

[1]

一种n型氧化铜薄膜的制备方法 [P].

高斐 ;

胡西红 ;

向玉春 ;

王皓石 ;

郑逍遥 ;

武慧君 ;

姜杰轩 ;

李娟 .

中国专利 :CN105463373A ,2016-04-06

[2]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

杨航 ;

关亚风 .

中国专利 :CN111239203B ,2020-06-05

[3]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693601A ,2010-04-14

[4]

一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法 [P].

高斐 ;

向玉春 ;

胡西红 ;

姜杰轩 ;

李娟 ;

武慧君 ;

郑逍遥 .

中国专利 :CN105779939A ,2016-07-20

[5]

具有非氧化铜线的半导体封装 [P].

李相道 ;

权容锡 ;

辛宗振 .

中国专利 :CN100365806C ,2003-10-01

[6]

氧化铜的制备方法 [P].

李钧 ;

毛谙章 ;

慎义勇 ;

周兆安 ;

刘小文 ;

郑帅飞 ;

米永红 ;

胡元娟 ;

唐瑜钟 .

中国专利 :CN107416887A ,2017-12-01

[7]

一种纳米氧化锌薄膜及氧化锌/氧化铜半导体材料的制备方法 [P].

徐春花 ;

王俊鹏 ;

李炎 ;

刘玉亮 ;

李萍 ;

李香利 .

中国专利 :CN102676975A ,2012-09-19

[8]

手性氧化铜薄膜的制备方法、氧化铜/导电玻璃复合材料及其应用 [P].

张镇 ;

诸琳 ;

袁路凤 ;

吴雪围 ;

李汪阳 .

中国专利 :CN112876094A ,2021-06-01

[9]

一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺 [P].

陆寅 .

中国专利 :CN112691770B ,2021-04-23

[10]

一种抗氧化铜导体浆料的制备方法 [P].

张小敏 ;

王昆彦 ;

单盼盼 ;

魏旭萍 ;

王新瑶 .

中国专利 :CN106205771A ,2016-12-07

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