一种氧化铜薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811441242.9

申请日：

2018-11-29

公开(公告)号：

CN111239203B

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

杨航关亚风

申请人：

申请人地址：

116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

马驰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	公开	公开
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20181129
2022-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693601A ,2010-04-14

[2]

手性氧化铜薄膜的制备方法、氧化铜/导电玻璃复合材料及其应用 [P].

张镇 ;

诸琳 ;

袁路凤 ;

吴雪围 ;

李汪阳 .

中国专利 :CN112876094A ,2021-06-01

[3]

一种n型氧化铜薄膜的制备方法 [P].

高斐 ;

胡西红 ;

向玉春 ;

王皓石 ;

郑逍遥 ;

武慧君 ;

姜杰轩 ;

李娟 .

中国专利 :CN105463373A ,2016-04-06

[4]

一种电子级氧化铜粉的制备方法 [P].

廖桂祥 ;

朱莞烨 ;

毛恩阳 ;

唐定 ;

吴晨阳 ;

瞿希铭 ;

刘国晨 ;

王乾坤 .

中国专利 :CN121020637A ,2025-11-28

[5]

一种氧化铜半导体薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106756831A ,2017-05-31

[6]

一种高纯度电镀级氧化铜的制备方法 [P].

廖奕坤 ;

张正淳 ;

徐佳琦 .

中国专利 :CN103466683A ,2013-12-25

[7]

氧化铜的制备方法 [P].

李钧 ;

毛谙章 ;

慎义勇 ;

周兆安 ;

刘小文 ;

郑帅飞 ;

米永红 ;

胡元娟 ;

唐瑜钟 .

中国专利 :CN107416887A ,2017-12-01

[8]

一种纳米氧化铜的制备方法 [P].

董雷 ;

孙景芃 .

中国专利 :CN113955795A ,2022-01-21

[9]

由黄铜矿直接制备氧化铜的方法 [P].

陈声昌 ;

刘占泉 ;

张大昕 ;

王庆梅 .

中国专利 :CN1101623A ,1995-04-19

[10]

一种氧化铜的制备方法 [P].

于彦龙 .

中国专利 :CN118206152A ,2024-06-18

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