一种n型氧化铜薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511027613.5

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105463373A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

高斐胡西红向玉春王皓石郑逍遥武慧君姜杰轩李娟

申请人：

申请人地址：

710062 陕西省西安市长安南路199号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428

代理机构：

西安永生专利代理有限责任公司 61201

代理人：

高雪霞

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	公开	公开
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20151231 授权公告日:20171020 终止日期:20201231
2017-10-20	授权	授权
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658480136 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2015110276135 申请日:20151231

共 50 条

[1]

一种氧化铜半导体薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106756831A ,2017-05-31

[2]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

杨航 ;

关亚风 .

中国专利 :CN111239203B ,2020-06-05

[3]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693601A ,2010-04-14

[4]

一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法 [P].

高斐 ;

向玉春 ;

胡西红 ;

姜杰轩 ;

李娟 ;

武慧君 ;

郑逍遥 .

中国专利 :CN105779939A ,2016-07-20

[5]

p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 [P].

张新安 ;

郑海务 ;

杨光 ;

刘献省 ;

李爽 ;

张伟风 .

中国专利 :CN105977165B ,2016-09-28

[6]

氧化铜的制备方法 [P].

李钧 ;

毛谙章 ;

慎义勇 ;

周兆安 ;

刘小文 ;

郑帅飞 ;

米永红 ;

胡元娟 ;

唐瑜钟 .

中国专利 :CN107416887A ,2017-12-01

[7]

手性氧化铜薄膜的制备方法、氧化铜/导电玻璃复合材料及其应用 [P].

张镇 ;

诸琳 ;

袁路凤 ;

吴雪围 ;

李汪阳 .

中国专利 :CN112876094A ,2021-06-01

[8]

一种氧化铜的制备方法 [P].

于彦龙 .

中国专利 :CN118206152A ,2024-06-18

[9]

一种制备氧化铜的方法 [P].

廖勇志 .

中国专利 :CN103232056B ,2013-08-07

[10]

氢氧化铜或氧化铜的制备方法 [P].

沈祖达 .

中国专利 :CN101195497A ,2008-06-11

← 1 2 3 4 5 →