一种三维光子晶体-等离激元模式增强荧光纳米结构及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611037525.8

申请日：

2016-11-23

公开(公告)号：

CN106770083B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

洪炜陈国健陈旭东

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

C09K1102 B82Y4000

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-20	授权	授权
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729313874 IPC(主分类):G01N 21/64 专利申请号:2016110375258 申请日:20161123
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

等离激元增强纳米锥结构及其制备方法和应用 [P].

周林 ;

郑兴驰 ;

陆维希 .

中国专利 :CN120099469A ,2025-06-06

[2]

一种基于等离激元模式金属增强荧光的金属有序阵列纳米结构的制备方法 [P].

章明秋 ;

张宇 ;

陈旭东 .

中国专利 :CN104087899A ,2014-10-08

[3]

一种等离激元共振增强基底及其制备方法和应用 [P].

夏兴华 ;

李剑 ;

李今 .

中国专利 :CN112986171B ,2021-06-18

[4]

基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法 [P].

张俊喜 ;

齐鑫 ;

牛力捷 ;

罗慧雄 ;

黄雅丽 .

中国专利 :CN119776945B ,2025-12-26

[5]

基于Tamm等离激元模式的金纳米阵列耦合光子晶体微腔的制备方法 [P].

张俊喜 ;

齐鑫 ;

牛力捷 ;

罗慧雄 ;

黄雅丽 .

中国专利 :CN119776945A ,2025-04-08

[6]

一种等离激元材料、包含该等离激元材料的太阳光吸收体及其制备和应用 [P].

吕坚 ;

陈颖娴 ;

欧玮辉 .

中国专利 :CN118767827A ,2024-10-15

[7]

纳米多孔表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

杜凯 ;

黄景林 ;

何小珊 ;

刘艳松 ;

何智兵 ;

王涛 ;

陈果 .

中国专利 :CN108004590A ,2018-05-08

[8]

一种等离激元结构衬底及其制备和应用 [P].

方哲宇 ;

杜博文 ;

朱星 .

中国专利 :CN107732017A ,2018-02-23

[9]

一种三维纳米等离激元超晶体的可控制备方法 [P].

王进 ;

贾皓玮 ;

邱丽 .

中国专利 :CN104404624A ,2015-03-11

[10]

一种表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

王振林 ;

詹鹏 ;

董晗 ;

孙洁 ;

王慧田 ;

闵乃本 .

中国专利 :CN100465345C ,2006-09-06

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