一种表面等离激元晶体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610039478.0

申请日：

2006-04-12

公开(公告)号：

CN100465345C

公开(公告)日：

2006-09-06

发明(设计)人：

王振林詹鹏董晗孙洁王慧田闵乃本

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号南大物理系

IPC主分类号：

C23C2802

IPC分类号：

C23C1422 B01J1300

代理机构：

南京苏高专利商标事务所

代理人：

柏尚春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-04	授权	授权
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-06	公开	公开
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004440007 IPC(主分类):C23C 28/02 专利号:ZL2006100394780 申请日:20060412 授权公告日:20090304

共 50 条

[1]

一种表面等离激元晶体传感器及其制备方法 [P].

王振林 ;

李媛媛 ;

潘剑 ;

詹鹏 .

中国专利 :CN101551330B ,2009-10-07

[2]

一种表面等离激元晶体的制备方法 [P].

王振林 ;

陈卓 ;

董晗 ;

詹鹏 ;

潘剑 .

中国专利 :CN101698961A ,2010-04-28

[3]

纳米多孔表面等离激元晶体及其制备方法 [P].

杜凯 ;

黄景林 ;

何小珊 ;

刘艳松 ;

何智兵 ;

王涛 ;

陈果 .

中国专利 :CN108004590A ,2018-05-08

[4]

一种表面等离激元超材料制备方法 [P].

李炳臻 ;

陈玉华 ;

王吉军 ;

李芳媛 ;

吴晴晴 ;

李岩 .

中国专利 :CN118147592A ,2024-06-07

[5]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件及其制备方法 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN107507901A ,2017-12-22

[6]

一种宽带等离激元复合结构及其制备方法 [P].

毛鹏 .

中国专利 :CN111007056B ,2020-04-14

[7]

一种基于表面等离激元增强的LED光电器件 [P].

王恺 ;

周子明 ;

谢斌 ;

郝俊杰 ;

陈威 ;

孙小卫 .

中国专利 :CN208000936U ,2018-10-23

[8]

一种表面等离激元制备装置 [P].

况亚伟 ;

刘玉申 ;

薛春荣 ;

马玉龙 ;

杨希峰 ;

冯金福 .

中国专利 :CN204834659U ,2015-12-02

[9]

基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法 [P].

黄凯 ;

黄长峰 ;

高娜 ;

陈航洋 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110165028B ,2019-08-23

[10]

表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 [P].

朱石超 ;

赵丽霞 ;

于治国 ;

孙雪娇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104051587A ,2014-09-17

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